SJ 50033.28-1994 半导体分立器件2CV334、2CV3338型微带混频二极管详细规范

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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/28-94,半导体分立器件,2CV334、2CV3338型微带混频,二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification stripline mixer diodes for,2CV334.2CV3338,1994-09-30 发布199小12-01实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CV334、2CV3338型微带混频,二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail spedficatfon stripline mixer diodes for,2CV334>2CV3338,SJ 50033/28-94,1范围,1-1主题内容,本规范规定了 2CV334.2CV3338型微带混频二极管(以下简称器件)的详细要求.,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级逬行分类.,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2弓I用文件,GB 6570-86微波二极管测武方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-36半导体分立器件试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定?,3.2设计、结构和外形尺寸,那件设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2-!引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,表面涂层应为金.,3.2.2外形尺寸,中华人民共和国电子工业部1994-09-3。发布1994-12-01 实施,SJ 50033/28-94,外形尺寸应符合本规范的规定,见图L,2CV334 型2CV3338 蛰,图!外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,CW),—10/iA,(V),To?,(C),T%,CD,2CV334,3CV3338,1),2,4 一 55 .+ 125 —65.+エ76,—2 -,下载,SJ 50033/28-94,注:6GH?,牀宽3ns,重复频率1kHz,3- 3-2主要电特性(ア*=250,\特,\性,X和,、条,.ヤ,型号、,レ.丒,77 = 1mA,(mV),AVf,yF(lmA),一*<〇, 3mA),(mV),匕瞄】,Ir = IO^iA,(V),Ir,32V,CpA),Lc,(dB),M,(噪声,比),Sv,(<1B),為,⑼,最小値最大值最大值最小值最大值最大值典型值跟大值最大值,最小硕大值,2CV334 300 500 45 4 1 4* 5 1.05 .2 8 200 600,2CV3338 300 500 45 4 1 4.7 1.05 2 6.5 200 600,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3-5标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质?保证规定,4-1抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4-2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,413箍选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定.其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除.,筛 选,见GJB 33表2,试验方法,GJB 128方法,测 试,3热冲击(温度循环) 1051 除循环20次外,其余同试验条件F.,7中间测试匕.、れ失效判据同最后测试,8电老化,9最后测试,1038 见 4. 3.1,口力瓯」 《初始值的15%,A%丒初始值的5%,其他參数:按本規范表1的A2和A4分组,4 3J电老化,85c Jf = 0. 3m厶,叠加 50 周交流 0. lmA,96he,4.4 质量ユ致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4-4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4-4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行.,一3 一,SJ 50033/28-94,4.5 检验和试验方法,检验和斌验方法应按本规范相应表的规定.,表1 A组检验,检般或试離,GB 6570,LTFD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组5,外观及机械检验GJB 128,2071,A2分组5,反向击穿电压3门2r=10^A 匕BIO 4 V,反向电深工2 Vr=2V Jr 1 监,正向电压3*3 /?=lmA % 300 500 mV,正向电压差值3.4 ド式1mA) 一AVn 45 mV,ド式ス 3mA),A3分组5,高温工作Tgb=125Q,反向击穿电压丸1 Zk = 1O^A V (BRJ 2 V,正向电压3.3 』FTlmA Vpz 200 400 mV,低温工作Tg=f 55 匸,反向击穿电压3.1 7r^10^A 2 V,正向电压3.3 lr=lmA vP3 350 550 mV,A4分组5 厶,变频损耗4.7 测试频率:,2CV334 12.8GH当4.5 dB,2CV3338 本振功率」,4mW 4.7 JB,总噪声系数D 4.5 中频负载阻抗:,2CV334 40001 6 dB,2CV3338 直流偏压电阻: 氏5 dB,中频随抗4.3 1000 Zif 200 800 G,电压驻波比4.4 5v 2,注:D……

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